Quae sunt factores veneficii scopum afficientes in magnetron putris?

Primum, formatio metalli scopum composita

In processu formandi compositi e superficiei scopo metallico per processum reactivum putris, ubi est compositum formatum? Quia particulae gas reactivae cum atomis in superficie scopum collidunt ad reactionem chemicam generandam ad atomos compositos generandos, reactionem exothermicam fere, reactionem caloris generat Oportet esse modus procedendi, alioquin reactio chemica procedere non potest. Calor inter vapores translatio sub vacuo non potest esse, ergo motus chemici in superficie solida fieri debent. Putris reciproci producta fiunt in superficiebus scopis, superficiebus subiectis, et aliis superficiebus structuris. Compositiones generare in superficie subiecta est finis noster. Composita generans in aliis superficiebus est copiarum vastitas. Composita generans in superficie scopuli initio fons atomorum compositorum fuit, sed postea impedimentum factum est ut atomi mixti plura suppeditarent continenter.

Secundo, factores scopo veneficii influentes

Praecipuum momentum veneficii scopum afficiens est ratio gasi reciproci ad putris gas. Gas reactivum Immodica veneficii scopum ducet. Per processum reactivum putris, regionis canalis putris in superficie scopo operitur per reactionem producti reactionis extractum ad superficiem metalli rursus expositam. Si rate formationis compositae maior est quam quo pacto nudatum est, area mixti augetur tecta. In quadam potentia, quantitas reactionis gas participat formationem mixti auget et compositio formatio augetur. Si moles gasi reciproci nimis augetur, aream mixti auget tecta. Si rate fluxus gasi reciproci in tempore componi non potest, rate incrementi in area mixti obducta opprimi non potest, et putris canalis putris adhuc mixto operietur. Cum putris clypeo totum tegitur compositum Cum scopo venenato penitus est.

Tertium, phaenomenon, veneficii scopum

(1) Positivum cumulus: Cum scopo venenato est, pellicula insulating in superficie scopo formatur. Cum positivi iones ad superficiem scopo cathode perveniunt, ob interclusionem iacuit insulating, non possunt directe ingredi superficiem scopo cathode, sed accumulant in superficie scopo, quod est pronum ad campum frigidum. Arcus Discharge-Arcus percutit ne putris procedat.

(2) Anode evanescit: Cum venenato scopo, pellicula insulating etiam in pariete cubiculi vacuo fundato deponitur, et electronica anodam attingentia anodam intrare non possunt, inde in anodem ablatione.

Quarta, physica explicatio scopo veneficii

(1) In genere, secundarium emissionem coefficiens metallorum compositorum metallorum altior est quam electronica. Postquam scopum venenosum est, superficies scopo compositis metallicis tegitur. Postquam iones emissa est, numerus electrons secundariorum emissus crescit, quod spatium efficientiae melius est. Conductivity, reductione impedimentum plasmatis, consequens in inferiore putris intentione. Sic putris rate reducitur. In genere, putris vis magnetonis putris est inter 400V et 600V. Cum oppugnatio veneficii incidit, putris voltatio signanter minuetur.

(2) Putris rate scopo metallico et scopo composito diversus est. Fuse, putris coefficiens metalli altior est quam mixti, ergo putris rate gravis est postquam scopus venenosum est.

(3) Putris efficientia gasi putris reciproci inferioris intrinsece quam gasi inerti, ergo cum proportio gasi reciproci augetur, altiore putris rate decrescit.

Quinto, solutio veneficii

(1) Utere frequentia media potentia copia vel copia potentiae radiophonicae.

(2) Imperium clausa-loop influentiae gasi reactionis adoptatur.

(III) Using gemina scuta

(IV) moderari mutationem efficiens modus: Antequam coating hysteresis effectum curvum scopo veneficii collige, ita ut attractio air- fluens contineatur in fronte scopo veneficii, ita ut semper processus fiat in modo ante depositionem in rate guttae acriter.